Científicos japoneses han desarrollado una nueva tecnología de almacenamiento inspirada en la que utilizan las baterías de iones de litio. Esta tecnología, llamada Ni-VolRAM, funciona más rápido y eficientemente que la tecnología DRAM usada en la actualidad, y además permite tener tres estados de voltaje en lugar de dos, lo cual podría proporcionar ventajas adicionales.

Celdas de memoria con tecnología de baterías
Como suele suceder, de momento este proyecto está en estudio de viabilidad, lo que significa que por ahora no se trata de un producto como tal sino prácticamente de un concepto. Los investigadores del Instituto de Tecnología de Tokio (Tokyo Tech) han logrado diseñar una celda de memoria con estructura simple, que requiere poca energía y que ofrece grandes ventajas en cuestión de densidad de almacenamiento, velocidad y lo que ya hemos mencionado, que son capaces de mantener tres estados de voltaje en lugar de solo dos.
Según el equipo dirigido por el profesor Taro Hitosugi, estos «dispositivos de memoria» serán clave para el desarrollo de memorias de acceso aleatorio (RAM) más eficientes y rápidas que la tecnología DRAM actual. Para el diseño han utilizado tres capas (litio, fosfato de litio y níquel) que corresponden a una mini batería pero cambiando oro por níquel, más eficiente y que permite almacenar más datos. El método de almacenamiento consiste en el estado cargado y descargado que representa un bit de información (cero y uno).

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El potencial «consumo de energía extremadamente bajo» es la principal ventaja de estas células de memoria. Esto lo consiguen porque la energía que utilizan estos dispositivos no se desaprovecha, sino que, digamos, es la misma energía la que se carga y descarga todo el rato, así que potencialmente solo consumirían energía al arrancar el sistema, y luego esa energía se mantendría todo el rato. Habrá que ver cómo afecta esto al calor que generan, por supuesto.
Ni-VolRAM puede tener tres estados de voltaje
Al utilizar níquel en lugar de oro para su fabricación ha tenido un efecto secundario positivo, y es que la celda de memoria puede contener tres estados de voltaje en lugar de dos, y por ello se habla de un «dispositivo de memoria de tres valores». Sin embargo, esto como es lógico no funcionaría para un sistema binario común, que solo tiene dos estados (ceros y unos), sino para un sistema ternario. No obstante, en el sector informático esto es casi irrelevante y ya existen otros enfoques técnicos para ello (incluyendo la computación cuántica).
«Mayor velocidad, menor consumo de energía y menor tamaño son características muy demandadas para futuros dispositivos de memoria. La celda de memoria desarrollada por este equipo de investigación es un trampolín muy prometedor hacia una informática mucho más eficiente y rápida». 
Solo el futuro nos dirá si estos hallazgos de los investigadores japoneses terminan llegando a productos de memoria para el consumo, pero desde luego si estamos hablando de productos de mayor capacidad, velocidad y con menor consumo, se puede augurar un futuro bastante prometedor si consiguen llevarlo a productos finales.
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