TSMC acaba de presentar los primeros datos de rendimiento de su próximo nodo de fabricación a 5 nm. Según los datos que ha proporcionado el fabricante de chips, el nuevo nodo sería capaz de alcanzar un rendimiento del 80% fabricando chips sencillos. Esto indica que el nuevo nodo estaría casi por completo preparado para iniciar la producción en masa de los primeros chips complejos. Que se basarán en este nuevo modo.
Antes que un nuevo nodo de fabricación litográfico se pueda dar como bueno. Ha de pasar por una extensa batería de tests. No en vano, las obleas que se empleen con el nuevo proceso van a albergar muchos de los chips más complejos y caros de varios fabricantes. Y ya hemos visto como, pequeños defectos en la producción de un chip, han generado miles de obleas inutilizadas. Y millones de dólares en pérdidas.


Es por ello que TSMC, como todos los fabricantes de chips en silicio, antes de comenzar la producción en masa, tiene un periodo de producción en pruebas. En él, se van refinando todos los aspectos del nuevo nodo, de manera que el rendimiento por oblea sea óptimo. Por lo que, inicialmente, lo que se suele producir son chips de memoria RAM, que son bastante sencillos en cuanto a su diseño interno.
Pasada esta etapa, se comienza la producción en pruebas de modelos de CPU para móvil antiguos. Como punto de partida de ver cómo se maneja el nodo con componentes más complejos. Una vez que el nodo se considera preparado, comienza la producción a gran escala del nodo.


Un rendimiento inicial del 80% habla muy bien del nuevo nodo de 5 nm
El nuevo nodo de 5 nm de TSMC representará un auténtico salto de nodo, frente al actual de 7 nm. Este nodo usará solamente litografía EUV, que permite una mayor precisión a la hora de grabar las máscaras de los circuitos en las obleas de silicio. No solo esto, sino que también permite utilizar menos máscaras por cada chip. Lo que acaba redundando, de manera positiva, en la fabricación de los nuevos chips. De hecho, este nuevo nodo de 5 nm es capaz de conseguir un incremento de densidad de transistores del 184% frente al actual nodo de 7 nm.


Este incremento de densidad de transistores (que es bastante notable) viene acompañado de un descenso del 30% en lo que consumen los chips. O de un incremento del 15% del consumo, si lo que se busca es incrementar el rendimiento del chip hasta el máximo.
Según el calendario que sigue TSMC, el nuevo nodo de 5 nm comenzaría la producción en masa hacia mediados del próximo año 2020. Producción que se mantendría hasta mediados del 2021, en el que sería sustituido por el nodo N5P, que sería una mejora del nuevo nodo N5. Este calendario dejaría a las claras que la producción de CPU y GPU que emplearan este nuevo nodo, no se espera que llegue en gran volumen hasta ese año, 2021.


Lo que nos hace sospechar que, sería bastante posible que AMD Zen 4 se fabricara usando los 5 nm de TSMC. Tendría todo el sentido que la empresa usara este nuevo nodo, dado el incremento de la densidad de transistores que parece prometer frente al actual N7. Estamos seguros que AMD podría aprovechar muy bien esta nueva densidad para incrementar el rendimiento de sus procesadores, O, incluso, de sus gráficas Radeon.
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