Investigadores de la universidad de Lancaster, en Reino Unido, han logrado crear un tipo de memoria llamada (de momento) UK III-V, que es de tipo flash no volátil (que mantiene los datos) tan rápida como la DRAM actual pero que utiliza tan solo un 1% de la energía que ésta necesita para escribir los datos.
Un consumo 100 veces menor, pero con mucha latencia
El consumo de energía que la memoria UK III-V requiere para escribir los datos es de aproximadamente 10 elevado a -17 julios, y eso con una célula de memoria construida con una litografía de 20 nm, por lo que se estima que utilizando procesos más avanzados el consumo será todavía menor.
Ahora viene la parte mala de esto, y es que hacer que una célula de memoria pase del estado apagado al encendido (para escribir un bit de datos) tiene una latencia de aproximadamente 5 nm, y su latencia para volver a su estado normal es de 3 nm. Esto significas que este tipo de memoria es mucho más lenta que la DRAM en cuanto a tiempos de acceso se refiere (porque en términos de velocidad es tan rápida como la DRAM).

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Por supuesto, la memoria UK III-V está todavía en desarrollo y de hecho por ahora consiste solo en transistores. Los investigadores han dicho que, si llega a fase de producción, las células llevarán una controladora que hará que estas latencias sean mucho más pequeñas y que su rendimiento pueda equipararse al de la memoria RAM tradicional que utilizamos hoy en día.
La memoria UK III-V, ¿es el futuro?
Tener una memoria no volátil tan rápida como la DRAM es algo desde luego muy interesante, porque nos permitiría por ejemplo tener PCs que pueden mantener los datos almacenados en la RAM incluso cuando los apaguemos y podrían, de hecho, iniciar de nuevo en tiempo récord cuando los encendamos de nuevo. A esto hay que sumar que se podría eliminar la necesidad de los estados de sleep, y que el sistema podría apagar módulos de esta RAM para ahorrar energía cuando no se están usando y volver a encenderlos cuando se necesiten.
El mayor problema que hay en este momento es que la tecnología bajo el capó de la memoria UK III-V está todavía en una fase muy temprana de desarrollo. Por el momento solo consta de transistores fabricados con un proceso de 20 nm, y tendríamos que ver cómo funcionan cuando el proceso sea más pequeño, y cuando se incorpore una controladora a la ecuación para ver si esas latencias tan altas de verdad mejoran.
La tecnología, en cualquier caso, es prometedora y no cabe duda de que van a seguir desarrollándola para intentar que tenga una aplicación real en sistemas de nuestra vida cotidiana. Las posibles aplicaciones que tiene son interesantes -ya las hemos enumerado, y seguramente tenga muchas más- y sí que es algo que podría terminar siendo el futuro de los PCs.
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