El gigante coreano Samsung ha mostrado recientemente su más moderna apuesta dentro del campo del almacenamiento sólido con sus nuevas unidades Z en cuyo interior ha montado la nueva memoria Z-NAND y que se pretende comercializar como un rival para las nuevas memorias 3D XPoint fabricadas por Intel, de las que recientemente se han comenzado a comercializar su primer modeo, el Optane DC P4800X Datacenter.Desde luego, el negocio de la memoria de Samsung lleva ya viento en popa a toda vela desde hace bastantes años, con sus chips entre los más codiciados a la hora de montar desde pendrives hasta carísimas tarjetas gráficas: en todos estos negocios tiene la mano metida este gigante asiático (también construye barcos, pero eso no tiene nada que ver con lo que ahora estamos hablando). Desde luego, con la gran explosión del mercado de la telefonía móvil y de las unidades de almacenamiento sólido, el negocio de la memoria NAND se ha acabado convirtiendo en uno de los puntales más lucrativos de este fabricante, especialmente con la constante subida en el precio de este tipo de memoria, debido en gran medida al constante incremento en la demanda de ella que hace la continua salida al mercado de productos que requieren de ella para funcionar.

[/url]
La memoria Z-NAND es la respuesta de Samsung al desarrollo por parte de Intel de la tecnología 3D XPoint pero no es algo que vaya a competir en la misma categoría que las memorias NAND de Intel y Micron, dado que Z-NAND es más una nueva evolución de las memorias NAND que un punto y aparte como son las memorias 3D XPoint. Sin embargo, ello no quita que las pocas especificaciones que he llegado a comprender hablan de unas velocidades de lectura y escritura de 3.200 Gbps, mientras que las pertenecientes al apartado aleatorio quedan en los 750K IOPS para la lectura y en 160K para las operaciones de escritura, las cuales no son francamente para dejarme anonadado, lo cual me hace pensar que estas nuevas memorias debieran situarse en un punto intermedio entre la NAND tradicional y la memoria RAM en cuanto a prestaciones.

[/url]
De todas formas, estoy convencido que no todo el potencial de estas nuevas memorias Z-NAND se deba en exclusiva a la propia NAND si no que el controlador que montan también debiera de tener mucho que decir aunque, como es lógico, Samsung no ha querido desvelar detalles a este respecto. Sí sé que la latencia de lectura sería un 70% inferior a la que presentan la gran mayoría de discos sólidos NVMe.
El artículo Primeras imágenes de un SSD de Samsung que emplea Z-NAND se publicó en HardZone.