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Noticias Informáticas

Ya hay un fabricante creando memoria ReRAM a menos de 20 nm: unificando CPU y RAM


Crossbar ha conseguido que Microsemi utilice sus nuevas memorias ReRam, uno de los principales competidores de las memorias No puede ver los links. Regístrese o Inicie sesión. El desarrollo de esta nueva tecnología se ha estado realizando durante años en 40 nm y ahora han conseguido un nuevo colaborador capaz de llevar a cabo el proceso de producción en 1X nm.

           
               
                   
               
           
           
               
                    Demandan a los 3 principales fabricantes de memoria RAM y NAND por pactar precios
               
           
       
La tecnología que quiere destronar a la Intel 3DXPoint empieza a ser comercializada
La compañía ha estado desarrollando su nueva tecnología de memoria no volátil, ReRam (Resistive RAM), durante años. Hasta ahora ha sido producida en un proceso de fabricación de 40 nm en SMIC, con la colaboración con una nueva empresa, la empresa es capaz de reducir el proceso a los 1X nm -no ha concretado tamaño-. Con esta reducción Microsemi ha decido decantarse por la nueva tecnología y utilizarla en sus productos, aunque la compañía no ha dicho dónde la utilizará, la ReRAM es idónea para integrarse en los nuevos ASIC que está produciendo en 10 nm.
Para llevar a cabo sus ReRAM, la compañía buscó que fuesen compatibles con el proceso de fabricación CMOS estándar. Para fabricar las nuevas ReRAM sólo hay que añadir unos pocos pasos al final de la línea de producción de las obleas, sin tener que realizar grandes cambios en los materiales implicados en ella. La empresa dice que pueden escalar la producción de la nueva tecnología a nodos de producción inferiores de a los 10 nm.
La ReRAM puede ser integrada en cualquier chip
Sin embargo, esta nueva tecnología aún no está lista para competir contra las memorias DRAM o NAND. En la primera etapa de su comercialización se va a utilizar como memoria integrada, dónde son diferentes el rendimiento, resistencia y densidad. Croosbar fija las latencias de las ReRAM en 10 ns para lectura, 10 µs para escritura, además, se espera que tenga un millón de ciclos de escritura. La retención de información de estas unidades se calcula que será de 10 años, sin que se produzcan interferencias en las celdas cercanas al hacer operaciones de lectura y escritura.
Croosbar, además, mostrará la potencia de sus nuevas memorias ReRAM en una arquitectura de memoria computacional para IA. Esta demostración tendrá lugar en el EVS (Embedded Vision Summit), dónde la compañía mostrará el potencial de sus memorias en dispositivos de reconocimiento facial y de objetos con estructuras almacenadas en ella. Al poder ser integrada en el mismo chip que la unidad computacional de la red neuronal, la conexión entre ambos se producirá de forma mucho más rápida que si se utilizase DRAM.

           
               
                   
               
           
           
               
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